如何选择电容？电容有那些特性是什么？

我们都知道，电容是电路设计中不可缺少的元器件。那我们在选择电容时，会去思考那些问题呢?下面和小北一起来学习吧！

电容按结构分类: 固定电容器和可变电容器

电容按材质分类:云母、瓷介、纸介，电解电容器等。常用的有陶瓷电容，AI电解电容，Ta电解电容 (Ta比AI稳定，性能更好，体积更小，价格要贵) 而我们现在用的是多层陶瓷电容(MLCC) 和钽(Ta) 电容

电容一般在电路中启到那些做用呢？

1）旁路 2）去耦3）滤波4）储能5）耦合交流，隔直流6）调谐

电容的特性参数

容量与误差 : 实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。一般使用的容量误差有:J级士5%，K级士10%，M级士20%。

频率特性: 电容器的电参数随电场频率而变化的性质。在高频条件下工作的电常数在高频时比低频时小，容器，由于介电电容量也相应减小。损耗也随频率的升高而增加(陶瓷电容: 低频、高频;钜电容: 直流、脉动直流) 。

损耗:在电场的作用下，电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。

额定电压值: 在下限类别温度和额定温度之间的任一温度下，可以连续施加在电容器上的最大直流电压或最大交流电压的有效值或脉冲电压的峰值。又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件，耐压越高，体积越大 (一般为4、6.3、10、16、 25、 35、 50V)。

温度系数:在一定温度范围内，温度每变化1C，电容量的相对变化值。温度系数越小越好。

绝缘电阻: 电容两极之间的电阻，或叫漏电电阻。漏电电阻越大越好

电容的单位：

电容的基本单位有：法拉F、毫法mF、微法μF、纳法nF、皮法pF

换算方法：1F=1000mF 1mF=1000μF 1μF=1000nF1nF=1000pF

最常用的电容是0.1UF电容，电容标注为104.

下面和小北一起来看看钽电容与陶瓷电容的特点。

钽电容:全称银电解电也属于电解电容的一种，也属于电解电容的一种，由于使用金属钽做介质，不需要像普通电解电容那样使用电解液，另外，钽电容不需像普通电解电容那样使用镀了铝膜的电容纸烧制，所以本身几乎没有电感。钽电容的特点是 的电容纸烧制，所以本身几乎没有电感。

钽电容的特点是：漏电流极小、储存性良好、寿命长、耐高温、准确度高， 漏电流极小、储存性良好、寿命长、耐高温、准确度高，不过对脉动电流的耐受能力差。它被应用于大容量滤波的 不过对脉动电流的耐受能力差。它被应用于大容量滤波的地方（低频无源或有源滤波中），像 CPU插槽附近就可以看到钽电容的身影，多同陶瓷电容，电解电容配合使用或是应用于电压、电流不大的地方。

缺点是生产成本高、耐压低。广泛应用于通信、航天、军工及家用电器上各种中 、低频电路和时间常数设置电路中。

陶瓷电容:就是瓷介电容。其耐热性能好，热稳定度高，耐酸碱及各种化学溶剂的性能好，且介质损耗小，容值稳定度高，耐压高不易被击穿，高频性能好。不过电容量小，抗震性差.应用于晶体管收音机、电子仪器、电子设备中。

钽电容也可以制造非极性，但价格较贵，而且贮藏后不一定可用，

贴片电容的性能的测评与失效

测评贴片电容性能，从三个方面进行，首先是贴片电容的四个常规电性能，即容量Cap.损耗DF，绝缘电阻 ，绝缘电阻IR和耐电压DBV，一般产品的损耗值DF<=2.5%，越小越好，

IR*Cap>500欧,BDV>2.5Ur.

其次是贴片电容的加速寿命性能，在125摄氏度环境温度和 2.5Ur直流负载条件下，芯片应能耐 直流负载条件下，芯片应能耐100小时不击穿，质量好的可耐1000小时不击穿。

再次就是产品的耐热冲击性能,将电容浸入300 300摄氏度的锡炉锡炉10秒，多做几粒，显微镜下观察是否有表面裂纹，然后可测试容量损耗并与热冲击前对比判别芯片是否内部裂纹。

电容的失效 电容的失效

相对电阻器而言，由于不同电容器的制作工艺和结构差异 相对电阻器而言，由于不同电容器的制作工艺和结构差异较大，电容器的失效机理要复杂得多，常见的失效模式主要有以下几种：击穿、开路、电参数退化（包括电容量退化、损耗和绝缘电阻或者漏电流退化等）、漏液、开裂等。漏液是铝电解电容和液体钽电容器最常见的一种失效模 瓷介电容器最常见的失效模式是开裂 式，瓷介电容器最常见的失效模式是开裂